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電子學/101地特/第2、6題 - 特考

Anthony avatarAnthony · 2013-01-07

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101地方特考電子學

題目與想法：http://ppt.cc/YHYU

請大大們幫忙指教一下

謝謝!!!

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特考

All Comments

Delia avatarDelia2013-01-09
第6題(C)電流變大 所以Vds側壓變小 還是在歐姆區
Candice avatarCandice2013-01-11
第3題 我覺得Rd要給 不知道對不對
Queena avatarQueena2013-01-14
說錯 第2題
Poppy avatarPoppy2013-01-18
其實第2題不用過於複雜化
以元件特性來分析，因為vt=0.5v，又Vcc=2V，Vcm=?
Olivia avatarOlivia2013-01-23
會使得元件是在飽和的最大值，且此元件是NMOS
Skylar Davis avatarSkylar Davis2013-01-26
VGD只要=Vt=0.5V即是在飽和的最大值，又Vd=2V，所以
Vcm最大為1.5V
Olivia avatarOlivia2013-01-28
可是rd也會有壓降阿 題目應該要說很小
Mason avatarMason2013-02-02
題目說最大Vcm應該是自動將rd歸類為最小了。
Carol avatarCarol2013-02-03
不然如何會有最大Vcm?
Wallis avatarWallis2013-02-07
看來這裡的最大是指所有的rd最大 而不是單一rd的最大 我誤會
了
Zenobia avatarZenobia2013-02-08
討論的高手還在嗎? w說的都很有道理 但是VGD=Vt=0.5時
Audriana avatarAudriana2013-02-08
輸入Vcm應該是 Vcm=VG=VD+0.5=2.5 這樣想哪裡錯了嗎?
Belly avatarBelly2013-02-09
(C)電流變大 所以VD會降低 本來VGD已經小於VT 所以更不可能
Ethan avatarEthan2013-02-11
(D)R2變大 VS上升 故VGS變小可進入飽和區
Andrew avatarAndrew2013-02-14
R2變大 VD也會變大 且VGS小速度比VDS快 故可以飽和
William avatarWilliam2013-02-16
關於第2題嘛 我還是覺得要給RD 所以我不會 SOR
Elvira avatarElvira2013-02-18
又說錯 = = 本來VGD已經大於VT才對