104年高考三級電子工程心得 - 考試
By Andrew
at 2016-05-15T20:03
at 2016-05-15T20:03
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鑒於考試期間收惠於國考版良多 分享我的心得與經驗給有需要的考生
離考上也有一段時間了 寫在今年高考前 希望對考生有幫助
文長~
一.前言:
(1)背景:大學為工學院相關科系 研究所為電類相關科系
當時開始準備考試時約有2.5科專業科目完全沒碰過 基本上算是半個本科系出身
(2)以全職的角度來看 建議本科系出身給自己1~1年半的時間
非本科系給自己2~3年的時間
(3)開始準備前 請先瞭解自己的個性與習慣 尋找適合自己的讀書節奏 這點很重要
可以多方參考他人意見與讀書方式 但建議不要整個拿過來用
因為適合別人的方式不一定適合你自己
舉我自己為例 讀到最後快考試前 心情上雖不緊張但會很亢奮
跟大部分的人一樣看不下書 因為我有在看棒球跟籃球
所以到後來讀不下時 我會邊看比賽邊背東西 效率可能不會太好
但對當時讀不太下又想保持考試的狀態 不失為一個好方法
請考友自行衡量是否適用
(4)如同很多版友分享 請均衡準備各科及各科章節的內容
不要輕易放掉任何你讀到,你寫到的東西 這些全都有可能是考題
尤其國家考試內容涵蓋這麼廣泛尤為明顯 請不要用80/20原則來準備
多一題會的 相信是考生都明瞭在考試時那麼緊繃的情緒下會增加很大的信心
連帶會影響到其他題目的發揮
(5)很多科目的題型都有多種解題技巧 請盡量每一種技巧都要實地練習過
考試時計算出錯是萬萬要不得的 此時若掌握2種以上的解題方式
就可用方法一去計算 方法二用來驗算 可大大降低因粗心算錯以致沒掌握到的分數
尤以工程數學,電路學等計算量大的科目最需注意
(6)一個科目建議涉略至少2種以上的教材(不同作者)或筆記(不同講師)
有時候不同作者的題目表達方式會不同 而不同講師的解題技巧與解釋亦是
研讀起來會有互補的效果
也能避免明明會寫的題目 卻因為題目表達方式而沒拿到該拿的分數
舉例:張鼎電路學筆記中很少出現迴路法表示的題目 就是用I1 I2 I3表示各迴圈的電流
在考試時若遇到此題目 會很容易粗心寫錯某一條線段的電流的表示(例如i=I2-I3)
錯這種很無奈 既不是不會寫 也不是計算錯誤 但就是錯了
而我在Sadiku那本看到大量題型是這種表示 多練習幾次 把錯先犯一犯
上考場就不會再犯這種錯了
(7)自己有整理考前重點以及電路Sadiku重點 若有需要的再寄信跟我說
有工程數學 電路學 電子學一些章節 計概 半導體
二.各科準備
1.工程數學 (47.5+37=84.5)
教材:高成奪分秘笈(共8本)+高成工程機率講義+高成電機線代 (皆為補習用書)
這科範圍很廣泛 不下於計概 但只要讀透 熟悉題型就很好拿分
我推薦2010年左右的高成奪分秘笈版本 因為近來的版本的題目越來越少
把一些以前出過的好題目都刪掉了
高成奪分秘笈題目量很夠 盡量全部做完 會有很大的幫助
這科就是要持續做題目 保持對各章節的熟悉度 可以每天每章節都安排做1~2題
請不要漏掉任何章節 若在寫考古題時 作答時會讓你猶豫的題目
馬上註記並回去復習那個章節
簡單的小動作可能因此讓你選擇多對一題
穩穩拿到2.5分 在應考時相對心安些
幾個題型要點提醒:
(1)拉式轉換 vs 傅立葉轉換 做對照表可方便記憶
拉式逆轉換 例如 L^-1{1/(S^2+a^2)^2}=等於多少 其答案可直接背起來
L^-1{S-a}=e^at*u(t) 答案要習慣寫u(t)
傅立葉轉換,傅立葉級數跟其對應的圖形要特別記一下 選擇題常考
(2)矩陣:
矩陣基本運算時 解跟det(A)的變化及比較 有時考出來時會突然卡住或記錯 請注意
A vs A^T(轉置矩陣) , 實(反實)對稱矩陣的特性及證明
相似,對角化,同步對角化,正交么正的特性及比較
P^-1AP=D 延伸的題型應用
(3)ODE解聯立的3種方法 , 變係數線性ODE,高階正合ODE的題型都要練習
(4)複變之實數定積分,向量之曲面積分:
往年都考不難 但請注意可能會有越考越難的趨勢 有空請往更後面章節加強
(5)機率:買了高成工程機率講義來準備
我只有看基本題 104高考那題計算題完全不會作答 同樣有越考越難的趨勢
(6)電機線代:考不多 若沒時間看矩陣章節延伸的題型就好
幾個題型要注意:LU及PLDU分解 (印象中沒出過?! 適合當計算題出)
線性變換,範數,最小平方近似解 (考古題都有)
2.電路學 (75)
教材: 張鼎電路學筆記+Sadiku原文書題目+大東海陳達電路學
這科也是需要大量的題目運算 所以解題技巧及速度是關鍵
題目做多了就知道如何選定最快的解題方式
像是開關電路若有3個以上的儲能元件就使用拉式法較快
另外一些工程數學技巧要勤練
像複雜電路使用拉式法時運用反微分算子的技巧
e^at*sinwt 其中s用a+jw代入求係數
最後再用其他方法做驗算以確保計算無誤
覺得題目量不夠 可練習Sadiku原文書的習題
需熟練的題型:
(1)求負載端的最大功率轉移 (一般電路,雙埠電路,耦合電路的都要會)
(技巧:負載端送V送I得其關係式)
(2)三相功率:
比較平衡及不平衡下之Δ接(或Y接)的線電壓(流),相電壓(流)的關係
求各項瓦特計值的題型 和改善功因的題型
(3)重疊定理的應用題 及什麼狀況下不能使用重疊定理
(4)開關電路 求全態響應 =零態+零輸入 =暫態+穩態 各種態的定義及求法
(技巧:1.用V(t)或i(t)的關係式搭配初值求解 2.拉式法)
3.電子學 (64)
教材:劉明彰獵殺電子學+林昀電子學+劉明彰試題精解
對於以前從沒碰過電子學的初學者 不建議補劉明彰的
會聽得很吃力 他的教法及內容不適合打基礎
但很適合畫龍點睛 類似一種從90分提升至100分的概念
而且有許多技巧很實用 老師取的名子也很不容易讓你忘記XD
獵殺電子學的題目算是拳拳到位 而且陷阱很多 勤加練習可提升很大的實力
電子學範圍廣 但也不要放掉或偏重於任何一章節
像這次考前自己有猜一下題 特別加強輸出級,濾波器,振盪器及各種反向器的題型
而疏於練習最基本的放大器,差動,頻率響應
以致考出來時解題很不順遂 影響整個考試心情
幾個要點提醒:
(1)考慮Ro,Rπ時,從C極和E極個別看進去的電阻要推導過,然後背起來,很常用
(2)差動放大器的比較 可分成BJT跟MOS版本 再分類成Wilson,Widlar,Cascade
等版本 Cascade差動於103高考時出了很大的篇幅
(3)各類型的Diode
(4)振盪器的方波,三角波產生器的推導與計算
(5)各類型CMOS的Vi-Vo曲線圖推導:增強式及空乏式負載,CMOS反向,Pseudo NMOS
建議從N,P型工作區判別式開始推導 一路導到Vi-Vo曲線圖及ViL,ViH,VoL,VoH
加強對各工作區的判定 若考計算題也能藉此幫助驗證數值是否有算錯
4.電磁學 (85)
教材:孫超群筆記+DK Cheng+Rao(臺大電機用書)原文書+李長綱試題精解
分各章節作說明
(1)靜電&靜磁: 孫超群的筆記搭配李長綱電磁學與電磁波分類題庫
這部分只要讀熟孫超群的筆記就沒有問題 幾乎95%考過的題目都有出現在筆記中
請熟練靜電靜磁的高對稱場分布推導
加強對空間的概念 掌握電場及磁場的方向性 搭配電位及磁向位的性質
可幫助加速解題並驗算
另一要點是要掌握工程數學的解題技巧 往往算式都列出來了
但積分積不出來 也是白費一場 請注意
(2)平面波:
熟記入射波,反射波,折射波的表示式及不同導體(或介質)的邊界條件及特性
請練習TE及TM兩種情況下的反射及折射係數的推導
(3)傳輸線:
由平面波公式延伸 求各線段阻抗匹配及不匹配時之反射波及折射波的計算
Rao這本書有很多這部分相關題型 可多加練習
另DK Cheng中有1~2題具電抗性負載的反射圖的相關題型
像104高考就出了一題25分 份量很重
我有特別加強這類題型 所以看到考出來時很開心
因為這是相較比較冷門的題型 有讀就賺到
(4)波導:
同樣從Maxwell方程式延伸推導 搭配邊界條件 可得到波導表示式
另其他種波導也要注意 至少要知道如何推導
如平行板波導,介電質波導管及其衰減常數α的計算
若考試時忘記了可以從Maxwell方程式慢慢推出來
(5)天線:
這部分內容雜但題型少 我也抓不透 只好請其他高手補充了
總結電磁學後半段 所有公式推導都是從靜電&靜磁的四大邊界條件導出
可推得Maxwell方程式 -->平面波基本方程 ---> 電報方程及傳輸線的性質
搭配邊界條件可推導出波導表示式
搭配Lorentz Gauge可推導出天線表示式
因此Maxwell方程式的前後延伸要很熟練 推導至關重要
考試時若忘記某條公式 都可從Maxwell方程式推出
5.計算機概論 (65)
教材:鼎茂劉逸+大東海曹中+劉逸試題精解
這科範圍廣 舉凡書本中有看到的都至少要有印象 絕不能放掉
自己要整理中英文縮寫對照及其名詞解釋 方便背誦記憶
程式語言的部分 沒學過一定要學點基礎
考簡單的當作賺到 考難的就放掉 就想成對手也不會就好
104高考考了20分 我有請同學教我 加上有空就看點歷屆考過的題目
最後拿了6成的分數 對於從零開始學的我 覺得很足夠了
所以千萬不要因為都沒學過就放掉
幾個要點提醒:
(1)資料表示(補數,浮點數...) & 布林代數(最簡積之和相關題型)
(2)作業系統(死結,CPU排程種類與比較,內外部碎裂,分頁及其替換方式)
(3)資料結構(陣列,樹,前中後序,排序(sort)方式)
(4)資料庫及資訊安全管理(各種管理資訊系統,惡意軟體的定義及攻擊方式)
(5)網路(OSIvsTCP/IP,電路交換VS分封交換,名詞解釋如CIDR,NAT,DNS..)
6.半導體工程 (74)
教材:Neamen半導體物理+鼎茂袁大為+蕭宏半導體製程導論
分理論跟製程兩大考試方向 兩部份都要花時間研讀
104高考幾乎都考製程 所以不能有以往理論考80%和製程考20%的迷思了
(1)理論部分:
建議從Neamen中譯本翻起 搭配袁大為這本書的整理
袁大為這本算是Neamen半導體物理的重點整理跟推導
偶而就拿來多翻多背
A.雖然理論內容繁雜 公式繁多 但內容都有其脈絡可循
從Ch4的本質,外質的N,P濃度公式開始推導
延伸到Ch6雙極性傳輸方程可得過量少數載子濃度分布
再從Ch6的方程可延伸到
a.Ch8:P-N接面的性質與計算
b.Ch10:MOS的Φ,空乏區寬度,電容電壓特性(Cox,Cmin,Cfb)
c.Ch12:BJT各極的載子濃度分布
還是要強調 公式那麼多 永遠背不完
掌握最基礎的公式及推導源由 可少背很多公式
尤其考試時緊張之下很容易就忘東忘西 能不要背的就不要背
B.注意各種比較:
如金半接面(Schotky,SBD)vs.P-N接面
接面電容vs.擴散電容 ...
C.BJT,MOS的各種非理想效應及其公式相關題型也是常考重點
如Neamen中譯本page510:例12.8 求Early Voltage
此題很有技巧 可釐清很多觀念 覺得很有機會成為考題
D.JFET的應用及公式推導:
此部分很少出 但建議也要瀏覽過
(2)製程部分:
由於先前研究所常在做實驗 所以很多製程都有印象
讀起來相對熟悉 不太需要背誦 像正負光阻的性質 各種製程...
另建議蕭宏這本至少從頭翻過一次 像104高考第一題
就有翻到那張反應過程圖及公式 自然不陌生~
另一些名詞解釋要整理 像是SOI,SIMOX,LDD,ALD,LOCOS
袁大為這本第11章的製程重點整理得不錯
像是鍍膜方式的比較,CVD製程種類的比較都是考過的內容
7.國文 & 法學知識與英文
國文只有準備公文 其他憑高中以前學的印象 ; 英文亦是
法學只加強憲法部分 然後自行整理筆記
包含各部會的所屬機關及功能,各行政程序的流程
三.總結
1.不管是全職或兼職 壓力一定都很大
盡量別給自己太大的壓力 過度煩惱很多沒念的反而影響讀書心情
但前提是要秤秤自己實力到哪邊 並設定目標給自己完成
切莫好高騖遠 投機心態 該花的時間還是得花的
2.還是要不厭其煩地強調
計算時驗算很重要!! 驗算很重要!! 驗算很重要!!
所以一個題目請至少熟悉兩種以上的解法並親自演練過
3.從我的心得可以發現 我很強調須熟練推導流程
當初補孫超群的電磁學時 他叫我們回去把整本筆記默寫出來
可以熟悉題型並練習推導 紮紮實實地打基礎
現在完全能體會其用意 默寫很辛苦但真的很有用
其一 可釐清觀念 綜觀全局
讓你思緒透徹 知曉你是否全盤瞭解了
其二 可少背很多"推導得到"的東西
養成能推導而得的就盡量推 可以能不背就不要背的習慣
因為考試時緊張的情緒下幾乎有一半的東西會忘光光
此時"推導"等同於你最後的錦囊了
但請不要誤會我說的意思 考前該背的還是要背
像基本的,推不出來的,或是推出來會花點時間的都是
這樣考出來才能"馬上"拿來用
不是考試時又推導一遍 很花時間
熟練推導流程是一個防患未然跟驗算的目的
4.現在題目越考越難了 有空的話就多加強些難題
想成考出來不就賺到了 逼自己多看點
5.考試歸考試 生活還是要顧 運動,休閒,人際關係亦是
別因此累壞身體 記住考上後還有很長一段路要走呢
祝各位考生都能如願!!
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By Lily
at 2016-05-18T12:03
at 2016-05-18T12:03
By Tom
at 2016-05-20T22:37
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By Genevieve
at 2016-05-24T21:40
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at 2016-05-25T01:59
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