N型跟P型半導體多數載子濃度問題 - 考試

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By Agnes
at 2013-06-02T18:08

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之前看書提到本質半導體的自由電子跟電洞濃度相等 所以n=p=ni^2

而N型半導體多數載子是自由電子 少數載子是電洞 因為N型摻雜的是五價原子

所以多數載子濃度n等於摻雜濃度Nd P型半導體多數載子濃度p等於摻雜濃度Na

如果是大量摻雜的話多數載子濃度才會近似於摻雜濃度這個很合理

可是我看函授老師講的是摻雜五價或三價原子只是少量摻雜而已 但是多數載子濃度卻還是

近似於摻雜濃度 這樣是老師講錯了還是我理解有問題?

板上前輩可以幫我解釋一下嗎?

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Tags: 考試

All Comments

Delia avatar
By Delia
at 2013-06-07T02:51
~10^22個矽原子/立方公分 摻雜~10^16個雜質/立方公分
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By Ursula
at 2013-06-08T01:08
雜質濃度比Si少但比ni(~10^10)高 應該是這樣吧
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By Isla
at 2013-06-09T00:05
應該是少量摻雜是相對矽原子數來說是少量
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By Olga
at 2013-06-11T19:15
但還是比本質濃度高
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By Olivia
at 2013-06-13T09:17
N=(NA*ND)/(NA+ND) NA>>ND N=ND 分母分子的NA約掉了
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By Sarah
at 2013-06-14T07:02
矽原子濃度不等於本質濃度,這點你要先搞清楚~
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By Zenobia
at 2013-06-17T23:55
隨著溫度的升高，才會有越多的原子會解離成本質濃度~

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