幾個電子學歷屆試題問題請教 - 考試

[考題] 國考歷屆考題與考題觀念討論(書裡看到的選這個)請附上想法、出處
關於場效應電晶體(FET)之閘極電容敘述，下列何者正確？【93.地方 五】
(A)與場效應電晶體(FET)閘極之通道長度成反比
(B)與場效應電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比
(C)與場效應電晶體(FET)閘極之通道面積成反比
(D)與場效應電晶體(FET)閘極之通道面積成正比

請問這題答案是(D)，是依照甚麼公式作解釋呢？
如果是依照電容的基本公式，與A成正比，與D成反比，那選項(B)應該也正確才對吧


其他三個題目：http://ppt.cc/vZ7p

11題 題目圖 是增強型NMOS，依題意看，Vgs=0，
所以應該是「在操作過程中會【經過】哪一區吧」，是否題目錯了？

12題 Id我懂，可是通道電阻我不知道是看甚麼公式，不太懂

14題 這題我不會算

拜託各位了 謝謝!!


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