中華電信102機務類專(四)一計概&電子學選擇51 - 考試

Carol · 2013-07-15

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51.
有關加強型金屬氧化半導體的場效電晶體(E-MOSFET)之特性，下列何者正確？
1.在歐姆區時，具有低電阻的特性
2.在歐姆區時，具有高電阻的特性
3.在作用區時，具有低電阻的特性
4.在截止區時，具有低電阻的特性

答案是1.

有誰可以解釋為什麼?
感謝

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All Comments

Mia2013-07-17

BJ4

Irma2013-07-19

我一直用ro去想結果猜錯 = =

Sandy2013-07-23

回錯篇 = =

Noah2013-07-24

這題我覺得如果1是對的那3也不會是錯的吧 3的電流更大阿

Oscar2013-07-28

這篇沒噓到! 怒噓!

Kelly2013-08-01

這題我也推3，作用區電流最大不是R最小嗎QQ

Todd Johnson2013-08-05

ID-VGS圖自己推歐姆區為小電阻作用區ro為大電阻

Jacob2013-08-07

你可以發在同一篇文章裡這樣會變成在洗版

Ophelia2013-08-09

這題的電阻特性是指DS端還是GS端????DS的話就是我想的沒錯吧

Aaliyah2013-08-12

請問ID-VGS圖要怎麼分歐姆區還夾止區?又要怎麼推電阻?

Olivia2013-08-16

打錯了是ID-VDS

Leila2013-08-19

用這圖去想歐姆區就是從小電流變大電流何來固定小阻抗呢?
硬要說也是工作區都是大電流才有固定小阻抗吧?

Elma2013-08-23

圖形斜率的倒數你說小電流變大電流那小電壓不也變
大電壓電阻不就電壓除以電流

Kama2013-08-24

MOS是壓控元件電壓改變控制電流改變

Doris2013-08-27

你把電流一直變大電壓當不變當然錯

Susan2013-08-30

阿...我錯了謝謝指正!!

Queena2013-08-30

請附上想法感謝