中華電信102機務類專(四)第一類 計概&電子學 選擇52 - 考試

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高功率的 MOSFET 元件作為功率級開關使用,欲提高容量可作並聯接線,此RDS(on)
與溫度的特性,下列何者正確?
1.溫度上升, RDS(on) 變小,汲極電流增加
2.溫度上升, RDS(on) 變大,汲極電流減少
3.溫度上升, RDS(on) 變小,汲極電流減少
4.溫度上升, RDS(on) 變大,汲極電流增加

答案是2.

有誰可以解釋為什麼?
感謝。

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All Comments

Damian avatarDamian2013-07-19
每題都沒有想法嗎?
Valerie avatarValerie2013-07-22
不會發在同一篇喔 賺文章數也不是這樣賺的
Isla avatarIsla2013-07-22
我想不會有人會慢慢跟你一一解釋MOSFET所有特性
Skylar Davis avatarSkylar Davis2013-07-23
因為我有背~
Rae avatarRae2013-07-27
你三篇文章的問題我全錯
Daniel avatarDaniel2013-07-27
溫度越高 發文數越多 所以阻礙越高 電阻越大 ID越小
Rachel avatarRachel2013-07-31
這題我也覺得很有問題
Rae avatarRae2013-08-04
T上升 u會下降 所以K下降 I是下降的 所以人說FET不怕熱
BJT的話才是I上升 IO上升 所以BJT怕熱
Ophelia avatarOphelia2013-08-05
要是說是early effect現象又是L下降 I上升
Sarah avatarSarah2013-08-07
怎麼選我都不會選2 電流下降??
Jacky avatarJacky2013-08-11
mobility 下降沒錯 但都不用考慮Vt嗎
Rae avatarRae2013-08-12
Noah avatarNoah2013-08-16
其實我昏頭了@@
Oscar avatarOscar2013-08-19
請附上想法 感謝
Zanna avatarZanna2013-08-22
看溫度變化Id-Vgs特性曲線圖,他說做數位開關使用
Genevieve avatarGenevieve2013-08-27
如果輸入極大,後半段的曲線斜率會下降,Rds上升
Rae avatarRae2013-08-29
Id下降,此時的mobility下降影響比Vt下降影響大很多
Heather avatarHeather2013-08-30
如果他問的是前半段輸入較小曲線,則結果剛好會相反
Dorothy avatarDorothy2013-09-03
此時Vt下降影響會比mobility下降影響大
Anonymous avatarAnonymous2013-09-05
所以這答案算有爭議嗎?
Emma avatarEmma2013-09-08
正確來講應該是他是功率放大器,所以假設是大電壓
Tracy avatarTracy2013-09-10
(Vgs-Vt)^2>>0,可以忽略Vt的影響,只考慮mobility