半導體物理 - 考試
By Olga
at 2014-11-11T09:10
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※ [本文轉錄自 Grad-ProbAsk 看板 #1KOM7TuO ]
作者: gauss760220 (宅哥) 看板: Grad-ProbAsk
標題: [理工] 半導體物理
時間: Tue Nov 11 09:09:46 2014
題目:
有一矽試片摻雜濃度1.5*10^15 cm-3的硼離子,與濃度8*10^14 cm-3的砷離子:
(一)試片是n or p型?
(二)計算出電子與電洞濃度?
(三)計算全部離子濃度?
計算過程:
(一)p型 因硼離子較多
(二)使用電中性方程式 n+Na=p+Nd
又np=ni^2 (mass-action law)
可得p=7*10^14 cm-3 n=3.21*10^5 cm-3
(三)假設全部解離(?) 所以為(1.5*10^15)+(8*10^14)=2.3*10^15 cm-3 (?)
不確定答案正不正確 請高手解惑 謝謝
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作者: gauss760220 (宅哥) 看板: Grad-ProbAsk
標題: [理工] 半導體物理
時間: Tue Nov 11 09:09:46 2014
題目:
有一矽試片摻雜濃度1.5*10^15 cm-3的硼離子,與濃度8*10^14 cm-3的砷離子:
(一)試片是n or p型?
(二)計算出電子與電洞濃度?
(三)計算全部離子濃度?
計算過程:
(一)p型 因硼離子較多
(二)使用電中性方程式 n+Na=p+Nd
又np=ni^2 (mass-action law)
可得p=7*10^14 cm-3 n=3.21*10^5 cm-3
(三)假設全部解離(?) 所以為(1.5*10^15)+(8*10^14)=2.3*10^15 cm-3 (?)
不確定答案正不正確 請高手解惑 謝謝
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By Sandy
at 2014-11-11T14:49
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By Hardy
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